電(diàn)子(zǐ)級(4-(叔丁基)苯基)二苯基锍 2,4,6-三(1-甲基乙基)苯磺酸鹽是(shì)一(yī)種高(gāo)純度锍鹽化(huà)合物(wù)，結合♦∞↓•了(le)三芳基锍陽離(lí)子(zǐ)的(de)優異光(guā÷"ng)敏性和(hé)特殊苯磺酸鹽的(de)強酸穩定性。該産品具有(φαyǒu)出色的(de)光(guāng)敏性能(♦✔néng)和(hé)化(huà)學穩定性，廣泛用(yòng)于高(gāo)端半₩•↑導體(tǐ)和(hé)微(wēi)電(diàn)子(z §ǐ)制(zhì)造中的(de)光(guāng)刻膠及相₩£β(xiàng)關領域。
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[基本信息]
中文(wén)名稱：(4-(叔丁基)苯基)二苯基锍 2,4,6-三(1-甲基乙基)苯磺酸鹽 (1:1)
英文(wén)名稱：(4-(tert-butyl)phenyl)diphenylsuπ≠≥"lfonium,2,4,6-tris(1-methyle≥↕§thyl)benzenesulfonate(1:1)♥α
分(fēn)子(zǐ)式：C37H46O3S2
分(fēn)子(zǐ)量：602.29 g/mol
外(wài)觀：淺黃(huáng)色至白(bái)色粉末或晶體(tǐ)。
純度：≥99.9%，符合電(diàn)子(zǐ)級标準。
溶解性：
（1）溶于極性有(yǒu)機(jī)溶劑，如(rú)乙腈、二氯甲烷。
（2）對(duì)水(shuǐ)不(bù)溶，表現(xiàn)出較高(gāo)≈≥→的(de)疏水(shuǐ)性。
熱(rè)穩定性：在高(gāo)溫條件(jiàn)下(xià)¶₩¶✔（最高(gāo)250-300°C）仍能(néng)保持化(huà)學穩定性。
光(guāng)敏特性：在紫外(wài)光(guāng)激發下(xià)表現( ≥xiàn)出優異的(de)反應性能(nén→₩g)。
[應用(yòng)領域]
光(guāng)刻膠配方
（1）用(yòng)于深紫外(wài)（DUV）和(hé)極紫外(wài)（EUV）光(guāng)刻技(jì)術(shù)，提高(gāo)分(fγ¥&∏ēn)辨率和(hé)顯影(yǐng)對(dαγ→®uì)比度。
（2）提升光(guāng)刻膠的(de)曝光(guāng)靈敏度，£₽γα滿足納米級微(wēi)圖形制(zhì)造需求。
微(wēi)電(diàn)子(zǐ)與半導體(tǐ®←)制(zhì)造
（1）應用(yòng)于幹法蝕刻技(jì)術(sh"αεù)，支持高(gāo)精度微(wēi)納加σ 工(gōng)。
（2）作(zuò)為(wèi)化(huà)學放(fàng)大(dà)光(guān↔$✔g)刻膠的(de)重要(yào)光(guāng)敏劑，提高(gāo)∏♥£α光(guāng)刻工(gōng)藝效率。
高(gāo)性能(néng)材料研發
（1）用(yòng)于制(zhì)備具有(yǒu)耐高(gāo)₽↓溫和(hé)抗化(huà)學腐蝕的(de)功能(néng)薄膜。
（2）支持高(gāo)端顯示設備、新能(nén₩₹∑g)源器(qì)件(jiàn)及微(wēi)電(••÷diàn)子(zǐ)封裝的(de)精密制(zhì)造。
優勢
本産品憑借其優異的(de)光(guāng)敏性能(n∞λβéng)、高(gāo)純度及熱(rè)化(huà $)學穩定性，為(wèi)半導體(tǐ)制(zhì)造≥☆工(gōng)藝提供關鍵支持，适用(yòng)于苛刻環境∑λ 下(xià)的(de)高(gāo)精度制(zhì)造←©☆需求。
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