| 英文(wén)名稱 | dimethyl(3-(9-oxo-9H-thioxanth↓≈ en-2-yl)phenyl)sulfonium trifluorometha© ≠nesulfonate |
|---|---|
| 中文(wén)名稱 | 電(diàn)子(zǐ)級 二甲基(3-(9-氧-≠™9H-噻蒽-2-基)苯基)硫鎓三氟甲磺酸鹽 |
| CAS号 | 2135770-47-5 |
| 産品編号 | YH82039 |
| 分(fēn)子(zǐ)式 | C22H17F3O4S3 |
| 分(fēn)子(zǐ)量 | 498.02 |
| 英文(wén)名稱 | dimethyl(3-(9-oxo-9H-thioxanth↓≈ en-2-yl)phenyl)sulfonium trifluorometha© ≠nesulfonate |
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| 中文(wén)名稱 | 電(diàn)子(zǐ)級 二甲基(3-(9-氧-≠™9H-噻蒽-2-基)苯基)硫鎓三氟甲磺酸鹽 |
| CAS号 | 2135770-47-5 |
| 産品編号 | YH82039 |
| 分(fēn)子(zǐ)式 | C22H17F3O4S3 |
| 分(fēn)子(zǐ)量 | 498.02 |
電(diàn)子(zǐ)級二甲基(3-(9-氧-9H-噻蒽-2-基)苯基)硫鎓三氟甲磺酸鹽是(shì)一(yī)種高(gāo)效光(g ∑uāng)敏材料,具有(yǒu)優異的(de)光(↔δεguāng)化(huà)學性質和(hé)化(huà)學穩定性。該化(hu£↓à)合物(wù)廣泛應用(yòng)于高(gāo)分(∏& ≠fēn)辨率光(guāng)刻膠以及其他(tā)電±δ±(diàn)子(zǐ)化(huà)學品的(de)制(zhì)備,在先進半導體π(tǐ)和(hé)微(wēi)電(diàn)子(z₩"≥☆ǐ)器(qì)件(jiàn)制(zhì)造領域 ∑具有(yǒu)重要(yào)作(zuò)用(≤£yòng)。
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【物(wù)理(lǐ)性質】
基本性質
化(huà)學名稱:二甲基(3-(9-氧-9H-噻蒽-2-基)苯基)硫鎓三氟甲磺酸鹽
分(fēn)子(zǐ)式:C22H17F3O4S3
分(fēn)子(zǐ)量:498.02 g/mol
外(wài)觀與溶解性
外(wài)觀:黃(huáng)色至淺橙色結晶粉末£ ₩™
溶解性:易溶于乙腈、二氯甲烷、甲醇等極性有(yǒu)機(j∞φ∑↑ī)溶劑
熱(rè)穩定性與儲存條件(jiàn)
熔點:約120-130℃
儲存條件(jiàn):避光(guāng)儲存于0-10℃的(de)幹燥環境,防止受潮和(hé)氧化(h ★>≈uà)
【應用(yòng)領域】
光(guāng)刻膠配方
作(zuò)為(wèi)光(guāng)敏劑和(hé)光(guāng)産酸∞δ×劑,在高(gāo)分(fēn)辨率光(guāng)刻膠中發揮關鍵作(zu÷÷ ¥ò)用(yòng)。
(1)增強光(guāng)刻膠對(duì)紫外(wài'γ≠λ)光(guāng)和(hé)深紫外(wài)♦∏<♣光(guāng)的(de)感光(guāng)性能₹☆Ω(néng)。
(2)提高(gāo)微(wēi)細圖案的(de)清晰度和(hé)邊緣&©對(duì)比度。
半導體(tǐ)制(zhì)造
在先進半導體(tǐ)和(hé)微(wēi)電(d$↔iàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的(de)光(g←'♦uāng)刻工(gōng)藝中表現(xiànε ↔)出色。
(1)支持亞微(wēi)米及納米級别的(de)高(gāo)精度圖案轉移。↑ ©
(2)滿足尖端芯片制(zhì)造對(duì)化(huà)學材料的(de)嚴苛 要(yào)求。
其他(tā)電(diàn)子(zǐ)應用(yòng)
用(yòng)于光(guāng)電(diàn)材料和(hé)功能(néng)塗↕∑©層的(de)制(zhì)備。
(1)改善光(guāng)電(diàn)設備的(de)光(guāng™∏ )學性能(néng)和(hé)穩定性。
(2)用(yòng)于顯示技(jì)術(shù)β≠<和(hé)傳感器(qì)的(de)關鍵材料層。