電(diàn)子(zǐ)級 産酸劑PAG 203

電(diàn)子(zǐ)級産酸劑PAG 203是(shì)一(yī)種高(gāo)純度光(&∏guāng)緻産酸劑，廣泛應用(yòng)于半導體(tǐ)光(guāng)刻‍≈✘膠體(tǐ)系中。其獨特的(de)光(guāng)化(huà)學✔↔​♠性能(néng)和(hé)優異的(de)熱(rè)穩定性，‌∑£σ使其能(néng)夠在紫外(wài)（UV）至深紫外(wài)（DUV）波段實現(xiàn)高(gāo)效的(de)酸生(s∑ 'hēng)成，适配先進光(guāng)刻工(gōng)藝對(duì→♠)高(gāo)靈敏度和(hé)高(gāo)分(fēn)辨率的(de)需求。該産δεΩ§品滿足高(gāo)端電(diàn)子(zǐ)材料對(duì)純度和(≈׶hé)性能(néng)的(de)嚴格要(yào)•→₩σ求，是(shì)提升光(guāng)刻膠性能(néng)®$♦ 的(de)關鍵組分(fēn)之一(yī)。

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微(wēi)信：

【物(wù)理(lǐ)性質】

基本性質

化(huà)學名稱：PAG 203

分(fēn)子(zǐ)量：662.62 g/mol

分(fēn)子(zǐ)式：C₂₅H₂₈O₈N₂F₆S₂

外(wài)觀：白(bái)色至淺黃(huá∏↕✘♦ng)色粉末或晶體(tǐ)

光(guāng)化(huà)學性能(néng)

光(guāng)譜吸收範圍：深紫外(wàiδ®&)（DUV）至極紫外(wài)（EUV）波段

産酸效率：高(gāo)光(guāng)解效率，酸産量穩定

熱(rè)穩定性與儲存條件(jiàn)

熔點：根據結構優化(huà)，通(tōng)常大(dà)于150℃

儲存條件(jiàn)：密封避光(guāng)，低(♠$¶dī)溫儲存（≤25℃），避免濕氣和(hé)氧化(huà)環境

【應用(yòng)領域】

光(guāng)刻膠制(zhì)備

作(zuò)為(wèi)關鍵的(de)光(guāng£≤)緻産酸劑，PAG 203能(néng)夠在光(guāng)刻膠中顯著提高(gā""o)光(guāng)敏性能(néng)。

（1）适用(yòng)于ArF、KrF等DUV光(guāng)刻工(gōng)藝，支持高(​​>←gāo)分(fēn)辨率納米級圖案制(zhì)造∑σ​λ。

（2）在EUV光(guāng)刻中表現(xiàn)出優異的(de)酸生(shēn±  ∑g)成效率，提升膠體(tǐ)顯影(yǐng)性能≥↓×(néng)。

微(wēi)電(diàn)子(zǐ)加工(gōng)

廣泛應用(yòng)于集成電(diàn)路(lù)制(zhì)造中的(de)×♦高(gāo)精度圖案轉移工(gōng)藝。

（1）優化(huà)器(qì)件(jiàn)線寬控制(zhì)，滿足高(gāo)★™密度集成電(diàn)路(lù)需求。

（2）提升曝光(guāng)和(hé)顯影(yǐng)過程中的(de)圖形± 清晰度與穩定性。

特殊電(diàn)子(zǐ)材料開(kāi)發

在功能(néng)性光(guāng)刻材料和(hé)敏化(huà)劑的 εβ(de)研發中，PAG 203是(shì)重要(yào)原料。

（1）應用(yòng)于光(guāng)刻膠配方優化(huà)，提升材料化(hu÷Ω✘ à)學惰性與穩定性。

（2）适配顯示器(qì)、傳感器(qì)等領域的(de)高(g☆¥☆$āo)性能(néng)電(diàn)子(zǐ)材料需求。